三星計(jì)劃在今年提升64層3D NAND產(chǎn)品的比重，并計(jì)劃在年內(nèi)在華城、平澤的工廠搶先量產(chǎn)96層3D NAND產(chǎn)品，甚至還計(jì)劃搶先競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，開始投入128層3D NAND的研發(fā)量產(chǎn)工作。

 

三星的這一系列舉動(dòng)也許將徹底使NAND Flash高層堆疊市場(chǎng)戰(zhàn)爭(zhēng)爆發(fā)，美、日、韓等多國(guó)的內(nèi)存大廠都將參戰(zhàn)，市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的激烈程度簡(jiǎn)直無(wú)法想象。

 

美光推進(jìn)64層3D NAND進(jìn)程非常順利，東芝、西部數(shù)據(jù)也從2017下半年開始量產(chǎn)64層3D NAND。與此同時(shí)，為了降低NAND Flash生產(chǎn)成本，提升產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)力，美、日、韓等多國(guó)的內(nèi)存大廠近期都在加速更高層堆疊以及QLC四比特單元存儲(chǔ)產(chǎn)品的開發(fā)。

 

全球NAND Flash第二大廠東芝已于2017年6月與西數(shù)同時(shí)宣布，采用BiCS4技術(shù)的96層3D NAND已完成研發(fā)?，F(xiàn)在，隨著東芝半導(dǎo)體事業(yè)出售案落下實(shí)錘，業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為，未來(lái)東芝將會(huì)在NAND Flash突飛猛進(jìn)。

 

而美光與英特爾合作開發(fā)的NAND Flash產(chǎn)品，也在最近傳出了96層3D NAND研發(fā)順利的消息。

 

至于SK海力士，2017年7月，就已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)72層（第四代）3D NAND閃存芯片。雖然目前SK海力士在NAND Flash領(lǐng)域排名落后，但是SK海力士也決定在2018年完成96層3D NAND產(chǎn)品研發(fā)。


本文關(guān)鍵詞：3D NAND閃存

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