Everspin在磁存儲器設(shè)計(jì)，制造和交付給相關(guān)應(yīng)用方面的知識和經(jīng)驗(yàn)在半導(dǎo)體行業(yè)中是獨(dú)一無二的。擁有超過600項(xiàng)有效專利和申請的知識產(chǎn)權(quán)組合，在平面內(nèi)和垂直磁隧道結(jié)（MTJ）STT-MRAM位單元的開發(fā)方面處于市場領(lǐng)先地位。  在數(shù)據(jù)中心，云存儲，能源，工業(yè)，汽車和運(yùn)輸市場中部署了超過1.2億個(gè)MRAM和STT-MRAM產(chǎn)品，為全球MRAM用戶奠定了最強(qiáng)大，增長最快的基礎(chǔ)。下面介紹關(guān)于切換MRAM技術(shù) 
 

切換MRAM使用1個(gè)晶體管，1個(gè)MTJ單元來提供簡單的高密度存儲器。Everspin使用獲得專利的Toggle電池設(shè)計(jì)，可提供高可靠性。數(shù)據(jù)在溫度下20年始終是非易失性的。

在讀取期間，傳輸晶體管被激活，并且通過將單元的電阻與參考器件進(jìn)行比較來讀取數(shù)據(jù)。在寫入期間，來自寫入線1和寫入線2的磁場會(huì)在兩條線的交點(diǎn)處寫入單元，但不會(huì)干擾任一條線上的其他單元。

EVERSPIN MRAM產(chǎn)品采用一個(gè)晶體管，一個(gè)磁隧道結(jié)（MTJ）存儲單元作為存儲元件。MTJ由固定的磁性層，薄的電介質(zhì)隧道勢壘和自由磁性層組成。當(dāng)對MTJ施加偏壓時(shí)，被磁性層自旋極化的電子將通過稱為隧穿的過程穿過介質(zhì)阻擋層。
 

當(dāng)自由層的磁矩平行于固定層時(shí)，MTJ器件具有低電阻，而當(dāng)自由層磁矩與固定層矩反平行時(shí)，MTJ器件具有高電阻。

MRAM是一種利用電子自旋的磁性提供非易失性而不會(huì)磨損的存儲器。MRAM將信息存儲在與硅電路集成的磁性材料中，從而在單個(gè)無限耐用的設(shè)備中提供SRAM的速度和Flash的非易失性。 

 
Everspin MRAM器件旨在結(jié)合非易失性存儲器和RAM的最佳功能，為越來越多的電子系統(tǒng)提供“即時(shí)接通”功能和斷電保護(hù)。 
 
 本文關(guān)鍵詞： MRAM

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