MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動態(tài)隨機存儲器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無限次地重復寫入。
 
MRAM特性
●MRAM讀/寫周期時間:35ns;
●真正無限次擦除使用;
●業(yè)內(nèi)最長的壽命和數(shù)據(jù)保存時間——超過20年的非易失特性;
●單芯片最高容量為16Mb;
●快速、簡單接口——16位或8位并行SRAM、40MHz高速串行SPI接口;
●具有成本效益——簡單到只有一個晶體管、一個磁性穿隧結(1T-1MTJ)位單元;
●最佳等級的軟錯誤率——遠比其它內(nèi)存優(yōu)異;
●可取代多種存儲器——集Flash、SRAM、EEPROM、DRAM的功能于一身;●具備商業(yè)級、工業(yè)級、擴展級和汽車級的可選溫度范圍;
●符合RoHS規(guī)范:無電池、無鉛;
●小封裝:TSOP、VGA、DFN
 
MRAM的存儲原理
MRAM是以磁性隧道結(MTJ)儲存單元為基礎。MTJ中包含了一個維持單一極性方向的固定層，和一個通過隧道結與其隔離的自由層。當自由層被施予和固定層相同方向的極化時，MTJ的隧道結便會顯現(xiàn)出低電阻特性;反之MTJ便會有高電阻。此磁阻效應可使MRAM不需改變內(nèi)存狀態(tài)，便能快速讀取數(shù)據(jù)。當流經(jīng)兩金屬線的電流足以切換MTJ的磁場時，在兩金屬線交點的MTJ就會被極化(寫入)。此過程能以SRAM的速度完成。

 
MRAM的優(yōu)勢
優(yōu)勢一:
其采用的磁性極化的方式與傳統(tǒng)的電荷存儲方式不同，有效避免了電荷漏電的問題，從而保證數(shù)據(jù)能夠在寬廣的溫度范圍內(nèi)被長期保存。
優(yōu)勢二:
兩個狀態(tài)間的磁性極化切換不會涉及到實際的電子或原子移動，因此不會有耗損機制的存在。
優(yōu)勢二:
兩個狀態(tài)間的磁性極化切換不會涉及到實際的電子或原子移動，因此不會有耗損機制的存在。
 
非易失性存儲器-串行mram
典型電路示例—MR25H40 4Mbit MRAM

 
非易失性存儲器-并行mram
典型電路示例—MR2A16A 256K×16 MRAM
   
非易失性存儲器-MRAM選型
   
非易失性存儲器-MRAM的應用
   
MRAM使用問題
MRAM是一種鐵磁性存儲器，在使用的時候，應盡量避免與強磁性物質(zhì)否則高壓大電流導體進行短距離接觸，否則容易導致內(nèi)部數(shù)據(jù)丟失甚至是芯片損壞。
   
Everspin是專業(yè)設計和制造MRAM和STT-MRAM的翹楚，其市場和應用領域涉及數(shù)據(jù)持久性和完整性，低延遲和安全性至關重要。Everspin在數(shù)據(jù)中心，云存儲，能源，工業(yè)，汽車和運輸市場中部署了超過1.2億個MRAM和STT-MRAM產(chǎn)品，為MRAM用戶奠定了強大的基礎。Everspin一級代理英尚微電子可為用戶提供驅(qū)動和例程等技術方面支持。


更多詳情點擊該鏈接：http://www.dg-zhanhong.com/list-180-1.html


本文關鍵詞： MRAM   

相關文章：MRAM與現(xiàn)行各類存儲器的比較

深圳市英尚微電子有限公司是一家專業(yè)的靜態(tài)隨機記憶體產(chǎn)品及方案提供商，十年來專業(yè)致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產(chǎn)品及方案。
英尚微電子中國區(qū)指定的授權代理：VTI、NETSOL、JSC濟州半導體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半導體品牌的專業(yè)分銷商  如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。