2018年各廠商開啟新計劃
2018-02-27 14:16:53
從技術層面來說，三星今年的目標除了持續(xù)提升18nm制程的產出比重外，近兩年來DRAM漲價帶動DRAM供貨商的利潤高漲，同時也由于中國大陸潛在競爭者的加入，迫使三星決定展開新一波的擴產計劃，將原本計劃做NAND Flash的平澤廠二樓區(qū)域投入生產DRAM，一方面因為DRAM供給吃緊，另一方面由此減少未來NAND Flash的投片量，用以抑制NAND Flash的跌價速度，對此，DRAMeXchange表示，這樣做對整體內存產業(yè)來說是積極向上的發(fā)展而并不是壞事。
此外，SK海力士去年底開始導入18nm的生產，然而，進入1Xnm世代制程難度高、轉換不易，SK海力士目前仍致力于提升其18nm良率；擴廠計劃則維持不變，SK海力士最快要到2019年才會在大陸無錫新建的第二座12英寸廠看到產能開出。美光在技術布局方面，臺灣美光內存(原瑞晶) 17nm目前產出比重已超過9成，預計今年第二季初將完成轉換，而臺灣美光晶圓科技(原華亞科)計劃今年中開始進行20 nm往17nm的轉換，預計今年年底將有望有一半產能轉往17nm生產，并于明年上半年全數(shù)導入。
臺系廠商部分，南亞科第四季營收較前一季大幅成長26.9%，主要歸功于20nm轉換良率超乎預期，以及價格持續(xù)走揚帶動。20nm的成本效益拉升營業(yè)利益率至38.9%，較前一季成長7個百分點。展望未來，由于該公司20nm良率繼續(xù)提升，將會持續(xù)改善其成本結構，增加獲利空間。
力晶科技方面，2017年第四季DRAM營收季持平，主要還是替晶豪科、愛普等IC設計業(yè)者代工的獲利較佳，力晶本身DRAM產能轉向更高毛利的產品；華邦電方面DRAM營收則下滑2.2%，主要因為DRAM產能受到NOR Flash產能壓縮所導致。
本文關鍵詞：
NAND Flash
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